等離子體技術(shù)作為一種高(效)、可控的改性方法，可以有效改善環(huán)氧填料的電氣性能。采用大氣壓低溫等離子體技術(shù)對(duì)微米AlN填料進(jìn)行氟化處理，控制不同的氟化時(shí)間，測(cè)試改性后的環(huán)氧樹(shù)脂試樣的微觀形貌、化學(xué)組分、電荷特性及沿面閃絡(luò)特性。
        等離子體氟化45min后，填料平均粒徑降(低)26%，填料氟化45min，氟元素占比達(dá)到38.55%。隨著氟化時(shí)間增加，環(huán)氧樹(shù)脂樣初始積聚電荷量降(低)，閃絡(luò)電壓呈現(xiàn)先增加后降(低)的規(guī)律，在對(duì)填料氟化45min時(shí)，閃絡(luò)電壓提(升)很明(顯)，較未氟化填料提(升了約39.9%，兩參數(shù)韋布爾分布表明閃絡(luò)電壓分散性也有所降(低)。等離子體填料處理提(升)環(huán)氧樹(shù)脂電氣性能的可行性，處理方法高(效)穩(wěn)定，性能提(升)明(顯)，為AlN及其他填料的改性提供了新的研究思路。

        對(duì)絕緣材料配方體系的改性，可以從源頭處提(升)絕緣子性能，因此大量的學(xué)者通過(guò)在絕緣材料中添加無(wú)機(jī)填料的方法，進(jìn)一步提高材料電荷消散率，綜合改善聚合物的絕緣性能。AlN作為一種新型無(wú)機(jī)填料具有高導(dǎo)熱性、熱膨脹系數(shù)低等眾多優(yōu)點(diǎn)，受到國(guó)內(nèi)外學(xué)者的廣泛關(guān)注，研究表明，添加微米AlN后的環(huán)氧樹(shù)脂不僅提高了導(dǎo)熱率，同時(shí)力學(xué)性能也有所(提)升。但相比傳統(tǒng)的Al2O3等填料，添加AlN后的環(huán)氧樹(shù)脂絕緣性能有所下降，限制了AlN在環(huán)氧樹(shù)脂配方填料中的應(yīng)用。
        結(jié)合大氣壓低溫等離子體技術(shù)高(效)節(jié)能、設(shè)備簡(jiǎn)單、操作簡(jiǎn)便、控制性強(qiáng)、產(chǎn)量高等優(yōu)點(diǎn)，采用介質(zhì)阻擋放電的形式，在大氣壓環(huán)境中對(duì)微米AlN填料進(jìn)行等離子體氟化處理，通過(guò)掃描電鏡（Scanning Electron Microscope, SEM）、X射線光電子能譜分析（X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS）、傅里葉紅外光譜（Fourier Transform Infrared, FTIR）分析添加改性微米填料后的環(huán)氧樹(shù)脂的微觀特征，研究改性后試樣的電荷消散特性和閃絡(luò)特性，尋求微米AlN填料的改性方法。