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CRF plasma 等離子清洗機(jī)

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等離子體刻蝕機(jī)技術(shù)在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用

       隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,由于其固有的局限性,濕法刻蝕逐漸限制了其發(fā)展,因?yàn)樗巡荒軡M足具有微米甚至納米級(jí)細(xì)線的超大規(guī)模集成電路的加工要求。晶片等離子體刻蝕機(jī)的干法刻蝕方法因其離子密度高、刻蝕均勻、表面光潔度高等優(yōu)點(diǎn),在半導(dǎo)體加工技術(shù)中得到了廣泛應(yīng)用。

等離子體刻蝕機(jī)

        等離子體刻蝕機(jī)是一種多功能等離子表面處理設(shè)備,可配備不同的部件,如表面鍍涂、蝕刻、等離子化學(xué)反應(yīng)、粉末等離子處理等。等離子體刻蝕機(jī)對(duì)晶片的蝕刻效果好。通過配置蝕刻部件,等離子清洗機(jī)可以實(shí)現(xiàn)蝕刻功能,性價(jià)比高,操作簡單,從而實(shí)現(xiàn)多功能。
       半導(dǎo)體的通過等離子體刻蝕機(jī)工藝將圖案復(fù)制到多晶硅等質(zhì)地的基底薄膜上,從而形成晶體管門電路,同時(shí)用鋁或銅實(shí)現(xiàn)元器件之間的互連,或用SiO2來阻斷互連路徑。刻蝕的作用在于將印刷圖案以極高的準(zhǔn)確性轉(zhuǎn)移到基底上,因此刻蝕工藝必須有選擇地去除不同薄膜,基底的刻蝕要求具備高度選擇性。否則,不同導(dǎo)電金屬層之間就會(huì)出現(xiàn)短路。另外,刻蝕工藝還應(yīng)具有各向異性,那樣可保證將印刷圖案精確復(fù)制到基底上。等離子清洗機(jī)是一種利用低溫等離子體的特性對(duì)被處理材料進(jìn)行等離子體刻蝕機(jī)。
         一般等離子體刻蝕機(jī)處理后,材料的表面張力、潤濕性、親水性都會(huì)發(fā)生變化,達(dá)因值也會(huì)發(fā)生變化。等離子清洗機(jī)處理后,材料的表面張力和表面能得到提高,為材料的后續(xù)加工和應(yīng)用提供了可能。


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